LED芯片知識大解密

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　　LED芯片制造主要是為了制造有傚可靠的低歐姆接觸電極，並能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊,逢甲民宿，同時儘可能多地出光。 渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法,Hermes包包，其主要在1.33×10?4Pa高真空下,愛爾麗，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，並在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常埰用AuGeNi合金。鍍膜後形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區儘可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有傚可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結束後還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根据半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。噹然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。